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本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT晶體管 RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-247-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：?jiǎn)?集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：600 V 集電極—射極飽和電壓：2 V 正極/發(fā)射極最大電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：55 A Pd-功率耗散：200 W IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C IGBT晶體管最大工作溫度：+ 150 C 封裝：Tube 集電極最大連續(xù)電流Ic：27 A 高度：20.7毫米（最大） 長(zhǎng)度：15.87毫米（最大） 寬度：5.31毫米（最大） 商標(biāo)：Infineon / IR 正極—射極漏泄電流：100 nA 產(chǎn)品類(lèi)型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：400 子類(lèi)別：IGBT 零件號(hào)別名：IRG4PC50UPBF SP001547878 單位重量：38 g 特征 •UltraFast：針對(duì)高運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化 硬切換時(shí)的頻率8-40 kHz，> 200 共振模式下的kHz •第4代IGBT設(shè)計(jì)提供更緊密的性能 參數(shù)分布和效率高于 第三代 •工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247AC封裝 •第4代IGBT可提供最高的效率 •IGBT針對(duì)特定應(yīng)用條件進(jìn)行了優(yōu)化 •設(shè)計(jì)為等效的“替代”替代品 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的第三代IR IGBT 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 55 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 27 ICM Pulsed Collector Current CD 220 ILM Clamped Inductive Load Current ai 220 VGE Gate-to-Emitter Voltage ± 20 V EARV Reverse Voltage Avalanche Energy ® 20 mJ PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 200 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 78 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (0.063 in. (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m)