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寬電壓晶振

寬電壓晶振YSO752ST特點

頻率范圍：1-150MHz

頻差（25℃）：±20、±25PPM，or specify

老化（）：±3PPM/年

溫度范圍：-20~+70℃/-40~+85℃

電壓：

1-90MHz    ：1.8V~5.5V

90-150MHz：1.6V~5.0V

輸出方式：CMOS

體積：7050

應用：

使用于計算機、服務器、網絡通信、數碼家電、工業探測等領域。

基本參數描述

 

頻率調節范圍：通過調節晶振的某可變元件改變輸出頻率的范圍。

調頻（壓控）特性：包括調頻頻偏、調頻靈敏度、調頻線性度。

①調頻頻偏：壓控晶體振蕩器控制電壓由標稱的值變化到值時輸出頻率差。

②調頻靈敏度：壓控晶體振蕩器變化單位外加控制電壓所引起的輸出頻率的變化量。

③調頻線性度：是一種與理想直線（二乘法）相比較的調制系統傳輸特性的量度。

負載特性：其他條件保持不變，負載在規定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱負載下的輸出頻率的允許頻偏。

電壓特性：其他條件保持不變，電源電壓在規定變化范圍內晶體振蕩器輸出頻率相對于標稱電源電壓下的輸出頻率的允許頻偏。

頻率老化：在規定的環境條件下，由于元件（主要是石英諧振器）老化而引起的輸出頻率隨時間的系統漂移過程。通常用某一時間間隔內的頻差來量度。對于高穩定晶振，由于輸出頻率在較長的工作時間內呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率（單位時間內的相對頻率變化）來量度。

日波動：指振蕩器經過規定的預熱時間后，每隔一小時測量一次，連續測量24小時，將測試數據按S=（fmax-fmin）/f0式計算，得到日波動。