NT5TU64M16HG-BE 供應NANYA原裝DDR2
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商品參數
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商品介紹
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聯系方式
型號 NT5TU64M16HG-BE
品牌 NANYA
封裝 FBGA
容量 1Gb
包裝 托盤
存儲技術 SDRAM-DDR2
存儲格式 DRAM
存儲類型 易失
安裝類型 表面貼裝
數量 11200
商品介紹




NT5TU64M16HG-BE NANYA(南亞) 原廠原裝



生產商:NANYA(南亞)

規格型號:NT5TU64M16HG-BE

英文名稱:DDR2 SDRAM

中文名稱:二代雙倍數據率同步動態隨機存儲器

存儲格式:DRAM

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:FBGA-

原廠包裝:托盤

零件狀態:批量生產

產品用途:汽車電子,臺式電腦,服務器,游戲機,物聯網設備,便攜式電腦,智能電視,網絡通信,人工智能,虛擬現實,增強現實,移動通信,工業控制,儀器儀表,安防監控,移動終端。我司供應的產品包含NANYA(南亞)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產品。



DDR2


DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預取)。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。此外,由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端總線對內存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。




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