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SD8DR18C-8G SanDisk（閃迪）NAND閃存 原廠原裝

品牌：SanDisk（閃迪）

規(guī)格型號：SD8DR18C-8G

英文名稱：NAND Flash

中文名稱：快閃存儲器

存儲格式：NAND

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產(chǎn)

NAND閃存概述

NAND閘高速緩存利用穿隧注入（Tunnel injection）寫入，以及穿隧釋放（Tunnel release）抹除。NAND Flash在今天的U盤與多數(shù)儲存卡上都可看到。東芝在1989年發(fā)表了NAND Flash架構(gòu)，這種存儲器的訪問方式類似硬盤、儲存卡之類的區(qū)塊性存儲設(shè)備，每個區(qū)塊由數(shù)個頁所構(gòu)成。一般來說這些頁的大小為512或2048或4096字節(jié)。在各個頁之間彼此的連接區(qū)域會有幾個字節(jié)（一般而言是數(shù)據(jù)大小的1/32），這些空間用于存儲錯誤修正碼的校驗和。

讀取與寫入動作可以以“頁”為單位偏移量進行，抹除動作只能以“區(qū)塊”為單位偏移量進行。NAND Flash還有一項限制就是區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)只能序列性的寫入。操作次數(shù)（Number of Operations, NOPs）則代表“頁”可以被寫入的次數(shù)。當前MLC的NOPs是1；而SLC則是4。NAND Flash也需要由設(shè)備驅(qū)動程序軟件或分離的控制器芯片來進行壞區(qū)管理，例如SD卡內(nèi)部便包含實行壞區(qū)管理與耗損平衡的電路。當一個邏輯區(qū)被高端軟件訪問時，邏輯區(qū)對應(yīng)到實體區(qū)的工作則由驅(qū)動程序或控制器進行。

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