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ZXTP2012ZTA  雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 60V PNP Low Sat ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA

制造商: Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-89-3

晶體管極性: PNP

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: - 60 V

集電極—基極電壓 VCBO: - 100 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V

集電極—射極飽和電壓: - 160 mV

最大直流電集電極電流: 4.3 A

Pd-功率耗散: 2100 mW

增益帶寬產(chǎn)品fT: 120 MHz

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: ZXTP2012

封裝: Reel

高度: 1.6 mm

長(zhǎng)度: 4.6 mm

技術(shù): Si

寬度: 2.6 mm

商標(biāo): Diodes Incorporated

集電極連續(xù)電流: - 4.3 A

產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Transistors

單位重量: 52 mg

ZXTP2012ZTA雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 60V PNP Low Sat

制造商: Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-89-3

晶體管極性: PNP

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: - 60 V

集電極—基極電壓 VCBO: - 100 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 7 V

集電極—射極飽和電壓: - 160 mV

最大直流電集電極電流: 4.3 A

Pd-功率耗散: 2100 mW

增益帶寬產(chǎn)品fT: 120 MHz

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

系列: ZXTP2012

封裝: Reel

高度: 1.6 mm

長(zhǎng)度: 4.6 mm

技術(shù): Si

寬度: 2.6 mm

商標(biāo): Diodes Incorporated

集電極連續(xù)電流: - 4.3 A

產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Transistors

單位重量: 52 mg