深圳友尚存儲科技有限公司
主營產品: DRAM動態隨機存儲, SRAM靜態隨機存儲, NAND閃存, NOR閃存, eMCP嵌入式存儲, eMMC嵌入式存儲, FRAM鐵電存儲, FLASH閃存, MRAM磁性隨機存儲
NT5TU64M8FE-BE-供應NANYA原裝DDR2
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NT5TU64M8FE-BE NANYA(南亞) 原廠原裝
生產商:NANYA(南亞)
規格型號:NT5TU64M8FE-BE
英文名稱:DDR2 SDRAM
中文名稱:二代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
存儲格式:DRAM
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA-
原廠包裝:托盤
零件狀態:批量生產
產品用途:汽車電子,臺式電腦,服務器,游戲機,物聯網設備,便攜式電腦,智能電視,網絡通信,人工智能,虛擬現實,增強現實,移動通信,工業控制,儀器儀表,安防監控,移動終端。我司供應的產品包含NANYA(南亞)的DRAM,NAND,NOR閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產品。
DDR2
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代內存技術標準,它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是,雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力(即:4bit數據讀預?。?。換句話說,DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。此外,由于DDR2標準規定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛應用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程,從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高內存的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端總線對內存帶寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。
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