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類別分立半導體產品晶體管 - 雙極 (BJT) - 單制造商ON Semiconductor系列-包裝 散裝 零件狀態在售晶體管類型PNP電流 - 集電極分立半導體（Ic）（最大值）500mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）20V不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）600mV @ 50mA，500mA電流 - 集電極截止（最大值）100nA（ICBO）不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）144 @ 50mA，1V功率 - 最大值625mW頻率 - 躍遷-工作溫度150°C（TJ）安裝類型通孔封裝/外殼TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA分立半導體）。分立半導體電子產品根據其導電性能分為"導體"和"絕緣體"半導體介于"導體"和"絕緣體"之間,半導體元器件以封裝形式又分為“分立”和“集成”如：二極管、三極管、晶體管等。分立半導體2010年全球半導體市場將較上年同期低迷的水平實現有史以來最大規模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。2010年全球半導體市場規模達2910億美元，同比增長約30%；2011年規模為3079億美元，同比增長5.8%。這一切要歸功于殺手級產品，如智能手機、平板電腦、電子書及游戲機等終端電子產品的推動,以及實際上半導體產業是受2008與2009年的兩年下降,而積聚的向上能量。全球DRAM市場總體供過于求狀況持續加劇，2011年全球DRAM市場位元產能將增長58.7%，高于需求增速31.5個百分點，過剩產能占比達28.2%。中國2012年LED市場規模將達605億元，2008-2012年年復合增長率達34%。至2015年LED芯片自給率將達70%。2010年1-11月國內元器件各細分產品PCB、電容、電阻、電感器件、電聲器件、磁材料及器件、電接插元件出口同比增長分別為32.74%、44.62%、41.30%、54.31%、36.04%、43.75%、39.59%。