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同步整流的損耗同步整流管的損耗計(jì)算一般也是包括以下幾方面：■導(dǎo)通損耗■開關(guān)損耗■驅(qū)動(dòng)損耗■反向恢復(fù)損耗■死區(qū)時(shí)間二極管損耗同步整流的損耗—Rds_onvsQg導(dǎo)通損耗一般由功率拓?fù)浜瓦x用MOS的Rdson決定，值得指出的是，導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗Pgate存在一定的權(quán)衡關(guān)系，由于MOS的Qg和Rdson成反比，而Qg大小一定程度上又與開關(guān)損耗成反比。所以，需要選擇合適而不是Rdson的MOS。另外，值得指出的是在一些自驅(qū)動(dòng)線路中，驅(qū)動(dòng)電平Ug在高壓較高會(huì)帶來額外的損耗也需要考慮其中。
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東科的同步整流芯片享有極高的市場(chǎng)占有率，此前已經(jīng)陸續(xù)進(jìn)入了京造、摩米士、倍思、邦克仕等多個(gè)配件品牌快充供應(yīng)鏈，并獲得客戶的高度認(rèn)可和市場(chǎng)一直好評(píng)。東科DK218M的成功量產(chǎn)，意味著18WUSBPD快充領(lǐng)域又新增了一位強(qiáng)勁的選手，利用現(xiàn)有的快充供應(yīng)鏈資源，可實(shí)現(xiàn)芯片到產(chǎn)品的迅速導(dǎo)入。值得一提的是，DK218M除了搭配自家同步整流芯片使用外，還可兼容友商同步整流方案，這也大大降低了芯片的使用門檻。
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半導(dǎo)體（semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體。可以簡(jiǎn)單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。