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上海菲茲電子科技有限公司
主營產品: 可控硅,整流橋,IGBT,二極管,熔斷器,電熔
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CDD190N12西班牙二極管模塊報價-全新二極管
價格
訂貨量(個)
¥220.00
≥1
店鋪主推品 熱銷潛力款
聯系人 張嵐颯
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發貨地 上海市
在線客服
商品參數
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商品介紹
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聯系方式
名稱 快恢復二極管
封裝 塑料封裝
批號 new
包裝 盒裝
產品類型 N
貨號 N
材料 硅(si)
是否進出口 否
加工定制 否
應用領域 電工電氣
商品介紹
上海菲茲電子科技有限公司專業代理功率半導體產品及配套器件,專業的IGBT以及配套驅動專業網上供應商,是功率半導體行業知名企業。公司憑借多年的從業經驗、不懈的開拓精神及良好的商業信譽,在電力電子行業樹立了良好的企業品牌形象,同時菲茲與多家電力電子行業和上市公司長期保持著穩定互信的合作關系,也是眾多知名電子廠商(富士、三菱、英飛凌、富士通、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)的優質誠信代理商和分銷商。通過多年的實戰經驗,菲茲人積累了堅實的功率半導體應用知識,為電力拖動、風力發電、電焊機、變頻器、高頻感應加熱、逆變電源、電力機車等行業提供完善的解決方案,為客戶提技術支持!
在電子電路中,常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內,有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用,但有些時候需要用到限幅二極管,如保護儀表時
反向電壓高到一定程度時,PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一種利用特殊工藝制造的面結型硅把半導體二極管,這種特殊二極管雜質濃度比較高,空間電荷區內的電荷密度大,容易形成強電場。當齊納二極管兩端反向電壓加到某一值,反向電流急增,產生反向擊穿。
在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。
我司主營產品如下:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品;
2、CDE、EACO、日立全系列電容產品;
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品;
4、建準全系列風機;
5、CONCEPT及驅動板;
6、富士通單片機及其它配套產品;
在電子電路中,常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內,有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用,但有些時候需要用到限幅二極管,如保護儀表時
反向電壓高到一定程度時,PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管,它是一種利用特殊工藝制造的面結型硅把半導體二極管,這種特殊二極管雜質濃度比較高,空間電荷區內的電荷密度大,容易形成強電場。當齊納二極管兩端反向電壓加到某一值,反向電流急增,產生反向擊穿。
在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素,便形成了P型區和N型區,根據N型半導體和P型半導體的特性,可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散,它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。
我司主營產品如下:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品;
2、CDE、EACO、日立全系列電容產品;
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品;
4、建準全系列風機;
5、CONCEPT及驅動板;
6、富士通單片機及其它配套產品;
聯系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
電話 憧憬憩-憭憩憧憧憥憩憬憭
手機 憩憦憫憩憫憫憫憧憫憪憤
傳真 憧憬憩-憤憩憫憦憤憫憤憪
地址 上海市