功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應發售
功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應發售
功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應發售
功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應發售
功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應發售
功率模塊IGBT模塊定制 SKM50GB123D 供應發售

功率模塊IGBT模塊定制-SKM50GB123D-供應發售

價格

訂貨量(件)

¥385.00

≥1

聯系人 張嵐颯

専專将専将将将尋将尊尅

發貨地 上海市
進入商鋪
掃碼查看

掃碼查看

手機掃碼 快速查看

在線客服

商品參數
|
商品介紹
|
聯系方式
系列 IGBT系列
封裝 標準封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導體
商品介紹
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同,當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時,IGBT 處于關斷狀態。在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內, Id 與Ugs呈線性關系。柵源電壓受漏極電流限制,其值一般取為15V左右。
功率模塊IGBT模塊定制,功率半導體器件
IGBT的開關速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。IGBT在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間,但關斷時間隨柵極和發射極并聯電阻的增加而增加。IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當。IGBT導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近,飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
功率模塊IGBT模塊定制,功率半導體器件
IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區后,反向關斷電壓只能達到幾十伏水平,因此限制了IGBT 的某些應用范圍。
功率模塊IGBT模塊定制,功率半導體器件
IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時間。td(on) 為開通延遲時間,tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。
聯系方式
公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
聯系賣家 張嵐颯 (QQ:1539653456)
電話 尋尃専-將専尋尋尉専尃將
手機 専專将専将将将尋将尊尅
傳真 尋尃専-尅専将專尅将尅尊
地址 上海市