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IG模塊和普通IG的區別
一樣型號 IG模塊和普通IG的區別，主要不同在哪里，里面的芯片大小一樣嗎，模塊的發果上面標150A能達到150A嗎？
IG模塊是幾個單元的IG綜合在一起，比如3單元的，就等于三個單管IG，這樣的好處可以節約空間。一般在10KW以上的設備基本都是用模塊才可以，而低功率的用單管IG，成本低很多。
IG模塊損壞的原因有哪些？
一、死區變窄 死區的寬窄主要取決于IG管的關斷時間。影響判斷時間的主要因素有：
1、環境溫度。環境溫度高，將延長IG管的判斷時間，使同一橋臂的上、下兩管在交替導通過程中的死區變窄，甚至導致直通。這就是在夏天，模塊燒壞的故障率偏高的原因。
2、變頻器的輸出電流過大。 變頻器的輸出電流大，也會延長IG管的關斷時間，導致直通。

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驅動不足 驅動不足也即驅動電壓偏低，容易使IG管進入放大狀態，IG管的功耗大幅增加，IG管將迅速燒毀。
igbt模塊的注意事項?
由于IG模塊為MOSFET結構，IG的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IG失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：
1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸;
2. 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

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在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極zui大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以振蕩電壓。
此外，在柵極—發射極間開路時，若在集電極與發射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發射極間存在高電壓，則有可能使IG發熱及至損壞。