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驅動電路時應考慮哪些因素

近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開關電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場合得到了廣泛的應用。這些功率器件的運行狀態直接決定了設備的優劣，而性能良好的驅動電路又是開關器件安全可靠運行的重要保障。在設計MOSFET和IGBT的驅動電路時，應考慮一下幾個因素：

（1）要有一定的驅動功率。也就是說，驅動電路能提供足夠的電流，在所要求的開通時間和關斷時間內對MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關斷實質上是對其輸入電容的充放電過程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832，柵極電壓VGS的上升時間tr和下降時間tf決定輸入回路的時間常數，即：tr（或tf）=2.2RCiss ，式中R是輸入回路電阻，其中包括驅動電源的內阻Ri。從上式中可以知道驅動電源的內阻越小，驅動速度越快。

（2）驅動電路延遲時間要小。開關頻率越高，延遲時間要越小。

（3）大功率IGBT在關斷時，有時須加反向電壓，以防止受到干擾時誤開通。

（4）驅動信號有時要求電氣隔離。

以PWM DC-DC全橋變換器為例，其同一橋臂的兩只開關管的驅動信號S上和S下相差1800，是剛好相反的，即一只開關管開通，另一只開關管要關斷，或者同時關斷。其中，兩只上臂的開關管之間和下臂的開關管必須隔離。對于中小功率的驅動電路，用脈沖變壓器的方法實現隔離為簡單，而在大功率的應用場合，則要使用集成驅動器驅動。

?什么叫存儲器

存儲器是半導體材料電子器件中必不可少的構成部分，基本上存有于全部的電子產品中。伴隨著互聯網大數據、云計算技術、物聯網技術、人工智能技術等產業鏈的發展趨勢，其在全部全產業鏈中飾演的人物角色愈來愈關鍵。

存儲器的類型許多，按主要用途可分主導存儲器和輔助存儲器。

前面一種又被稱為內存儲器（運行內存），能夠 與CPU立即互換數據信息，速度更快、容積小、價錢高。

后面一種為外存儲器（外存），指除運行內存及緩存文件之外的存儲集成ic。該類存儲集成ic一般關閉電源后依然能儲存數據信息，速度比較慢、容積大、價格便宜。

依照關閉電源后數據信息是不是遺失，可分成易失性存儲器和非易失性存儲器。

易失性存儲器普遍的有DRAM和SRAM。

非易失性存儲器普遍的是NAND閃存芯片和NOR閃存芯片。

無線充電芯片組成

從結構上看，無線充電發射端芯片主要由驅動芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機方案下，控制芯片、驅動芯片、運放全部獨立，外圍元件也相當多，總而言之，非常復雜，元器件太多。原材料品種繁多，生產試驗流程復雜，不利于產品的快速開發、生產和銷售。

即Systemonachip，它是指在一塊芯片上集成一個完整系統。當前對SoC方案的一些比較常見的定義是：SoC即主控制和驅動集成。但是也有聲音表示這種說法并不準確，主控、驅動、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定義，暫且先以種表述為準。