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北京賽米萊德貿易有限公司主營：光刻膠

市場規模

中國半導體產業穩定增長，全球半導體產業向中國轉移。據WSTS和SIA統計數據，2016年中國半導體市場規模為1659.0億美元，增速達9.2%，大于全球增長速度（1.1%）。2016年中國半導體制造用光刻膠市場規模為19.55億元，其配套材料市場規模為20.24億元。預計2017和2018年半導體制造用光刻膠市場規模將分別達到19.76億元和23.15億元，其配套材料市場規模將分別達到22.64億元和29.36億元。在28nm生產線產能尚未得到釋放之前，ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛，需求增長持續性強。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。諸多半導體工廠的設立，也拉動了國內半導體光刻膠市場需求增長。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。

如何選擇光刻膠

光刻膠必須滿足幾個硬性指標要求：高靈敏度，高對比度，好的蝕刻阻抗性，高分辨力，易于處理，高純度，長壽命周期，低溶解度，低成本和比較高的玻璃化轉換溫度（Tg）。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。大多數光刻膠是無定向的聚合體。當溫度高于玻璃化轉換溫度，聚合體中相當多的鏈條片以分子運動形式出現，因此呈粘性流動。當溫度低于玻璃化轉換溫度，鏈條片段的分子運動停止，聚合體表現為玻璃而不是橡膠。當Tg低于室溫，膠視為橡膠。當Tg高于室溫，膠被視為玻璃。由于溫度高于Tg時，聚合體流動容易，于是加熱膠至它的玻璃轉化溫度一段時間進行退火處理，可達到更穩定的能量狀態。在橡膠狀態，溶劑可以容易從聚合體中去除，如軟烘培膠工藝。但此時膠的工作環境需要格外關注，當軟化膠溫度大于Tg時，它容易除去溶劑，但也容易混入各種雜質。一般來說，結晶的聚合體不會用來作為膠，因為結晶片的構成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。

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