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場效應(yīng)管為什么需要從9A變成5A性能更可靠,場效應(yīng)管的損耗通常來自導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗兩種,但在高頻小電流條件下以開關(guān)損耗為主,由于9A的場效應(yīng)管在工藝上決定了其柵極電容較大,需要較強(qiáng)的驅(qū)動能力,在驅(qū)動能力不足的情況下導(dǎo)致其開關(guān)損耗急劇上升,特別在高溫情況下由于熱耗散不足,導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度超標(biāo)引發(fā)失效。如果在滿足設(shè)計(jì)裕量的條件下?lián)Q成額定電流稍小的場管以后,由于兩種場管在導(dǎo)通內(nèi)阻上并不會差距太大,且導(dǎo)通損耗在高頻條件下相比開關(guān)損耗來說幾乎可以忽略不計(jì),這樣一來5A的場管驅(qū)動起來就會變得容易很多,開關(guān)損耗降下去了,使用5A場管在同樣的溫度環(huán)境下結(jié)點(diǎn)溫度降低在可控范圍,自然就不會再出現(xiàn)熱耗散引起的失效了,當(dāng)然遇到這種情況增強(qiáng)驅(qū)動能力也是一個(gè)很好的辦法。
時(shí)序和布局約束是實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵因素。本文是介紹其使用方法的入門讀物。完成RTL設(shè)計(jì)只是FPGA設(shè)計(jì)量產(chǎn)準(zhǔn)備工作中的一部分。接下來的挑戰(zhàn)是確保設(shè)計(jì)滿足芯片內(nèi)的時(shí)序和性能要求。為此,您經(jīng)常需要定義時(shí)序和布局約束。我們了解一下在基于賽靈思FPGA和SoC設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)如何創(chuàng)建和使用這兩種約束。時(shí)序約束最基本的時(shí)序約束定義了系統(tǒng)時(shí)鐘的工作頻率。然而,更高級的約束能建立時(shí)鐘路徑之間的關(guān)系。
模擬傳感器輸出的一般都是小信號,都存在小信號放大、處理、以及抗干擾問題,也就是將傳感器的微弱信號地放大到所需要的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)信號(如1VDC~5VDC或4mADC~20mADC),并達(dá)到所需要的技術(shù)指標(biāo)。這就要求設(shè)計(jì)制作者必須注意到模擬傳感器電路圖上未表示出來的某些問題,即抗干擾問題。只有搞清楚模擬傳感器的干擾源以及干擾作用方式,設(shè)計(jì)出干擾的電路或干擾的措施,才能達(dá)到應(yīng)用模擬傳感器的狀態(tài)。