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IRF1902GPBF-分立半導體產品-晶體管-HEXFET
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發貨地 廣東省深圳市
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商品介紹
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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 HEXFET
批號 22+
包裝 最新
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 4.2A（Ta）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 85 毫歐 @ 4A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 310 pF @ 15 V
FET 功能 -
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
型號 IRF1902GPBF
數量 92000
功率耗散（最大值） 140W（Tc）
FET 類型 N 通道
商品介紹
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公司名稱 半導體電子元器件廠家
聯系賣家 朱慧 
（QQ：2880524286）
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地址 廣東省深圳市
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朱慧 總監
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