IPD040N03LG-分立半導體產品-晶體管-OptiMOS
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發貨地 廣東省深圳市
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品牌 IR
封裝 TO-252
系列 OptiMOS?
批號 22+
包裝 最新
技術 MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型 N 通道
漏源電壓(Vdss) 30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 90A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 4 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 38 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 3900 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
型號 IPD040N03LG
數量 92000
商品介紹
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公司名稱 半導體電子元器件廠家
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地址 廣東省深圳市
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