上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC40
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發貨地 上海市浦東新區
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商品參數
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商品介紹
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品牌 KRi
型號 KDC40
產地 美國
類型 燈絲，考夫曼源
離子能量范圍 100 至 1200ev
離子電流 可以超過 120 mA.
離子束 集中 平行 散設
商品介紹
價格貨期電議

上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數

型號

KDC 40

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

1

 - 陽極電壓

0-100V DC

電子束

OptiBeam?

 - 柵極

專用, 自對準

 -柵極直徑

4 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架構

移動或快速法蘭

 - 高度

6.75'

 - 直徑

3.5'

 - 離子束

集中
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-18”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 可調角度的支架


KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 109             T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                          F: +886-3-567-0049
M: +86 1391-883-7267                       M: +886-939-653-958
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