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鋼研納克Plasma 1500單道掃描ICP光譜儀可廣泛適用于冶金、地質、材料、環境、食品、醫藥、石油、化工、生物、水質等各領域的元素分析。
1 單道掃描ICP光譜儀采用大面積高刻線密度平面全息光柵，Czerny-Turner結構光學系統，通光量大，分辨率高。
2 雙光柵設計，整個波長分布范圍內均具有極高光譜分辨率，國產ICP光譜儀設計。
3 高效穩定的固態射頻發生器，固態光源ICP光譜儀體積小巧，匹配速度快，確保儀器的高精度運行及優異的長期穩定性。
4 雙通道高靈敏PMT檢測器，寬動態范圍信號處理技術，具有優異的檢測能力。紫外光譜范圍內自動切換使用紫外PMT。
5 功能強大的軟件系統，簡化分析方法的開發過程，為用戶量身打造簡潔、舒適的操作體驗。

納克重大科學儀器專項成果全譜ICP亮相
儀器信息網訊 2013年10月23~26日的BCEIA 2013期間，鋼研納克展出了所承擔的國家重大科學儀器設備開發專項的研制成果——二維全譜高分辨ICP光譜儀PLASMA CCD。就這款新品的情況等問題，儀器信息網編輯采訪了鋼研鈉克副總經理楊植崗博士。
在2011年的BCEIA上，編輯就曾采訪過楊植崗博士，當時也曾談到這款全譜ICP光譜儀，不過那時展出的還只是一臺原理樣機。兩年的時間過去了鋼研納克二維全譜高分辨ICP光譜儀已經實現了商品化。
BCEIA 2011到BCEIA 2013，樣機到商品化
楊植崗博士說到，“新產品從研發開始，到原理機研制成功，再到實現商品化，要經歷一個較為漫長的過程，特別是針對科學儀器而言，產品在推向市場之前必須經過層層把關，不允許任何一個不良產品產生，就象金國藩院士所說“分析儀器是現代社會的物化法官”。某種層面上它承載著極為嚴峻的任務，這個意義不言而喻，誰都馬虎不得”。
“本次展出的二維全譜高分辨率ICP光譜儀經驗證，完全符合國家ICP光譜儀的計量標準，在長期穩定性和短期精度方面我們做了大量的測試和比對工作，測試結果喜人。目前該產品處于點對點的推廣試用階段，在這個過程中，我們將根據掌握的具體問題，對儀器進行品質提升，力求在大面積推廣時更好的滿足客戶的需要”。
據介紹，PLASMA CCD的特點主要有：連續波長覆蓋(165~800nm)，獨特光學設計使得光學系統具有的分辨率(在200nm處￡0.007nm)和檢出限；固態射頻發生器，自動調節，適應各種樣品類型；科研及大面積CCD，具有低噪聲、高靈敏度和寬動態范圍的特點，動態時鐘系統，所有元素一次測定；穩定波長控制技術，全元素波長自動標定;軟件操作簡便，直觀、功能全面，具有多種干擾校正方法和實時背景扣除功能；同時具備激光燒蝕固體進樣和溶液進樣功能。
應用——需要花大力氣去做
PLASMA CCD這款新品可用于金屬材料、地質礦產、環境、食品等領域樣品的多元素的同時、快速、準確測定。
“如果在國家計量標準要求的樣品測試條件下進行檢測，我們這臺儀器的整體表現與國際先進的同類儀器處在同一個水平線上。”楊植崗說到，“而對于復雜樣品，有一些特殊要求的，還需要經過大量的應用研究。對于不同的應用領域，每一個儀器的表現是不同的，所以，后續我們將在應用開發方面花大力氣去做。今后我們將與環境、食品領域的一起事業單位以及相關科研院所展開深入合作。”
“目前ICP光譜的標準方法不多，相關的檢測標準還是以AAS為主，這制約了ICP光譜市場的發展，也就要求不斷開發ICP光譜的應用方法。”
目標——國產儀器里做到市場占有率
“鋼研納克的愿景是做分析測試領域的引領者、推動者。我們的理念是生產高端的儀器、開發高端的應用、提供高端的服務。當然這很有難度，方方面面需要我們不斷努力，一步步來。”
“盡快服務于客戶是我們的宗旨，鋼研納克一直關注工業檢測，與工業化大生產聯系比較緊密，用戶要求儀器廠商的響應速度要快。我們已經將服務點設到了各個地區，遍布大部分省會城市，并逐步向地級市擴展，未來鋼研納克將為客戶提供更為優質、便捷的產品和服務。”
鋼研納克檢測技術有限公司是中國鋼研科技集團有限公司的全資子公司。
鋼研納克主體業務涉及第三方檢測服務(含金屬材料化學成份檢測、力學性能檢測、材料失效分析、無損檢測、計量校準)、分析測試儀器及無損檢測設備的研制和銷售、腐蝕防護產品及相關工程、標準物質/樣品、檢測能力驗證等領域。是國內金屬材料分析測試領域服務商。

干貨分享！鋼研納克國產ICP應用技術培訓班，厲害了！
2019年11月29日，由鋼研納克檢測技術股份有限公司儀器中心主辦的“國產ICP應用技術培訓班暨鋼研納克ICP老用戶交流會”在寧波泛太平洋酒店舉行，鋼研納克寧波地區ICP新老用戶受邀參加了此次培訓。
鋼研納克儀器中心副總經理于兆斌在培訓班開幕式上致賀詞，歡迎寧波地區客戶參加此次培訓，同時介紹了鋼研納克的公司背景與發展近況，希望以公司上市為契機，更好的做好服務用戶的工作，促進行業檢測水平的提高。
會議由鋼研納克華東二區銷售總監許頂主持，鋼研納克ICP資深產品經理屈華陽做了ICP基本原理與產品介紹的報告。ICP產品資深售后工程師唐曉林做了ICP操作維護和國產ICP在釹鐵硼檢測方法解讀的報告，重點介紹了釹鐵硼檢測標準方法（鋼研納克參與制定），包括溶樣過程，配線技巧，建議譜線，檢測注意事項，儀器性能對比等內容，同時為行業用戶提供了釹鐵硼行業常用的原輔料的檢測方法。
鋼研納克售后工程師崔朝輝做了“磁性材料中ONH元素的檢測”的報告，實戰分享釹鐵硼中O,H 元素的檢測方法和技巧。同時，標準物質事業部標液研發主管 李海平，分享了標準溶液的制作過程，干擾元素影響判別的一般方法，為客戶日常檢測提供了一種實用方法和技巧，同時為行業用戶提供了釹鐵硼行業常用的原輔料的檢測方法。
培訓答疑環節，現場氣氛非常熱烈。參會人員表示，通過此次培訓，不但更深入地學習了ICP技術原理，了解了國產ICP的快速發展和進步，更學到了非常實用的檢測方法，解決了工作中遇到的困惑和問題。培訓結束后，學員學習熱情不減，利用會議間隙向老師咨詢檢測方法，將學習交流延伸到課堂之外。

Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發射光譜儀測定工業硅中雜質元素含量
關鍵詞
Plasma 3000，Plasma 2000，工業硅，耐氫氟酸進樣系統
國家產品標準GB/T2881-2014《工業硅》中規定，檢測工業硅中雜質元素采用電感耦合等離子體發射光譜儀測定。本實驗參照標準GB/T14849.4-2014《工業硅化學分析方法第四部分：雜質元素含量測定 電感耦合等離子體原子發射光譜法》測定工業硅中鋁、鉻、鈣、硼、銅、鐵、鎂、鎳、錳、磷、鈉、鈦的元素含量。對工業硅樣品進行對比測試，檢測結果與客戶化學法基本一致。
儀器特點
Plasma 3000型和Plasma 2000型電感耦合等離子體發射光譜儀（鋼研納克檢測技術股份有限公司）是使用方便、操作簡單、測試快速的全譜ICP-OES分析儀，具有良好的分析精度和穩定性。
Plasma3000
? 高效固態射頻發生器，超高穩定光源；
? 大面積背照式CCD芯片，寬動態范圍；
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，體積小巧；
? 多元素同時分析，全譜瞬態直讀。
? 多種進樣系統，可選擇性好；
? 垂直炬管，雙向觀測，檢出限更加理想；
Plasma2000
? 高效固態射頻發生器，超高穩定光源；
? 大面積背照式CCD芯片，寬動態范圍；
? 中階梯光柵與棱鏡交叉色散結構，體積小巧；
? 多元素同時分析，全譜瞬態直讀；
? 多種進樣系統，可選擇性好；
? 垂直炬管水平觀測，耐鹽性更佳。
樣品前處理
1. Al、Ca、Cr、Cu、Fe、Mg、Ni、Mn、P、Na、Ti含量測定：
? 稱取1g樣品，放置于250mL聚四氟乙烯燒杯，用少許水清洗杯壁并潤濕樣品；
? 分次加入15mL～20mL氫氟酸，待反應停止后加滴加硝酸至樣品完全溶解，然后加入3mL高氯酸，加熱冒高氯酸煙，待高氯酸白煙冒盡，取下冷卻。
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸，用少許水洗杯壁，加熱使殘渣完全溶解，冷卻至室溫，轉移至50mL塑料容量瓶中，用水稀釋至刻度，搖勻；
? 隨同做空白實驗。
2. B含量測定
? 稱取1g樣品，放置于250mL聚四氟乙烯燒杯，用少許水清洗杯壁并潤濕樣品；
? 分次加入15mL～20mL氫氟酸，待反應停止后，滴加硝酸至樣品完全溶解，過量1mL，待反應停止后，加熱至近干（控制溫度低于140℃），取下冷卻；
? 加入5mL鹽酸和1mL硝酸低溫溶解殘渣（溫度低于80℃），待樣品完全溶解后，冷卻至室溫，轉移至50mL塑料容量瓶中，用水稀釋至刻度，搖勻。
? 隨同做空白實驗。
注：
1) 工業硅中有些元素含量超低，使用試劑和水需要高純，器皿清潔；
2) 標準溶液配置時注意介質干擾，建議P、Na、B單獨配置；
3) 測量時，采用耐氫氟酸進樣系統；
4) 樣品溶解時，氫氟酸用量較大，注意器皿采用聚四氟乙烯和塑料；
標準曲線配置
標準溶液配置時，可以先配置100μg/mL混合標準溶液，配置時按下表1加入體積數配置曲線。
表1 標準曲線配置
注：
1) 標準溶液配置時注意介質干擾，建議P、Na、B單獨配置，濃度梯度同上表；
2) 配置曲線時，酸度和樣品保持一致；
元素分析譜線
實驗考慮各待測元素譜線之間的干擾及基體干擾，并選擇合適的扣背景位置，經實驗，本文選擇分析譜線如下表2所示。
表2 各元素分析譜線及線性系數
測試結果
1. 標準樣品測試結果、精密度與回收率
按照方法，測試了標準樣品金屬硅FjyJ0401，同時加入100微克做回收率實驗，實驗結果如表3所示。回收率在98.75%～106.93%，結果令人滿意。
表3 實驗結果、精密度和回收率(n=11)
2. 樣品比對實驗
采用Plasma2000型和Plasma3000型儀器測量客戶考察樣品，與客戶化學法比對，結果如表4所示。通過比對，儀器測定值與化學法基本一致。
表4 結果比對
注：“-” 客戶未提供化學法檢測數據
結論
使用Plasma3000和Plasma2000能夠很好的解決工業硅中雜質元素分析問題，完全滿足國家標準GB/T2881-2014《工業硅》和GB/T14849.4-2014《工業硅化學分析方法第四部分：雜質元素含量測定 電感耦合等離子體原子發射光譜法》要求。