半導體光刻膠 賽米萊德 負性光刻膠
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半導體光刻膠-賽米萊德-負性光刻膠

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商品參數
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商品介紹
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縱橫比 4.5
報價方式 按實際訂單報價為準
光刻膠型號 NR5-8000
膜厚 54μm
掩模尺寸 12μm
曝光能量 1100 mJ/cm22
聚焦補償 -15μm
耐溫 150度
產品編號 8540673
商品介紹
北京賽米萊德貿易有限公司主營:光刻膠




光刻膠簡介

賽米萊德——專業光刻膠供應商,我們為您帶來以下信息。

光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的就是用于印刷工業的,以后才用于電子工業。 [1]  光刻膠是一種有機化合物,它被紫外光曝光后,在顯影溶液中的溶解度會發生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態涂在硅片表面,而后被干燥成膠膜。



光刻膠的相關信息

利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構,光刻膠可以分為三種類型。

光聚合型采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點。光分解型采用含有疊氮醌類化合物的材料,經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性,可以制成正性膠。光交聯型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發生交聯,形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。


以上就是為大家介紹的全部內容,希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識,歡迎撥打圖片上的熱線聯系我們。



負性光刻膠簡介

感光樹脂經光照后,在曝光區能很快地發生光固化反應,使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理,溶去可溶性部分,得到所需圖像(見圖光致抗蝕劑成像制版過程)。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。基于感光樹脂的化學結構,光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點。②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性,可以制成正性膠。③光交聯型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開,并使鏈與鏈之間發生交聯,形成一種不溶性的網狀結構,而起到抗蝕作用,這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時,光的波長會限制分辨率(見感光材料)的提高。為進一步提高分辨率以滿足超大規模集成電路工藝的要求,必須采用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠,X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠,所刻蝕的線條可細至1□m以下。


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