SI2302DS-T1-GE3場效應管mos管SOT2320V/6AN溝道
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發貨地 廣東省深圳市
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產品特性 大功率
品牌 VBsemi(臺灣微碧)
型號 SI2302DS-T1-GE3
封裝 SOT23
批號 20+
FET類型 增強型
漏源電壓(Vdss) 20V
漏極電流(Id) 6A
漏源導通電阻(RDS On) 28mΩ@4.5V
柵源電壓(Vgs) ± 12V
柵極電荷(Qg) 8.8
反向恢復時間 /
最大耗散功率 2.1mW
配置類型 N溝道
工作溫度范圍 /
安裝類型 /
應用領域 Array
商品介紹
  • 技術參數


品牌:

VBsemi臺灣微碧
型號:SI2302DS-T1-GE3

批號:

20+
封裝:

SOT23-3

溝道類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):20V
漏極電流(Id):6A
漏源導通電阻(RDS On):

28mΩ@4.5V

柵源電壓(Vgs):±20V
耗散功率:1.4W


  • 品牌介紹

 










 

  • 規格書

 


  •  用途/應用領域

 

          3C數碼、安防設備、測量儀器、廣電教育、家用電器、軍工/航天、可穿戴設備、汽車電子、網絡通信、物聯網IoT、新能源、醫療電子、照明電子、智能家居



聯系方式
公司名稱 深圳市微碧半導體有限公司
聯系賣家 張先生 (QQ:3003525560)
電話 䀎䀍䀍-䀌䀔䀔䀒䀓䀒䀒
手機 䀋䀒䀋䀌䀔䀓䀍䀒䀍䀒䀔
地址 廣東省深圳市